Guevara E, Tinajero J, Guevara M, Cajas Buenaño M. Análisis comparativo del nivel de defectuosidad en los dispositivos de potencia SiC MOSFETs: Array. Perspectivas [Internet]. 26 de enero de 2020 [citado 23 de noviembre de 2024];2(1):33-7. Disponible en: http://fie.espoch.edu.ec/index.php/RCP_ESPOCH/article/view/69